DFN5*6 DFN3*3封裝外觀尺寸圖及選型表-MOS管原廠供貨 免費送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-01-18
本文主要是講述DFN5*6 DFN3*3 MOS管封裝詳情及型號，如有需要請聯系我們，我們將竭誠為您服務。MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構成完整的電路。按照安裝在PCB 方式來區分,MOS管封裝主要有兩大類:插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB的安裝孔焊接在PCB 上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤上。
MOS管對于整個供電系統而言起著穩壓的作用。目前板卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10個左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要作用是為配件提供穩定的電壓,所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近。MOS管一般是以上下兩個組成一組的形式出現板卡上。
DFN/QFN是一種最新的的電子封裝工藝，ON Semiconductor公司的各種元器件都采用了先進的雙邊或方形扁平無鉛封裝（DFN/QFN）。
DFN/QFN平臺是最新的表面貼裝封裝技術。印刷電路板（PCB）的安裝墊、阻焊層和模版樣式設計以及組裝過程，都需要遵循相應的原則。 DFN/QFN封裝概述 DFN/QFN平臺具有多功能性，可以讓一個或多個半導體器件在無鉛封裝內連接。下圖就展示出了這一封裝的靈活性。
本實用新型涉及電子封裝領域，更具體地說它涉及一種DFN封裝。
現階段MOS管封裝內阻相對較高，散熱差。利用新型的超薄DFN封裝結構可以大大降低內阻，散熱性能得到大幅度提升，應用領域更為廣泛。
目前，現有技術中申請號為申請公布號為 CN102842550A的中國專利文件公開了一種功率MOSFET芯片的DFN封裝結構，其通過設置散熱區然后在散熱區與芯片之間設置軟焊料層連接從而將芯片上熱量導出散熱。
該現有技術主要通過與外界的環境接觸進行散熱，但是該現有技術的散熱結構與外界接觸的面積有限因此散熱性能較為一般。
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Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
RDS（Ω）（MAX） |
RDS（Ω）（TYP） |
ciss |
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pF |
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KIA100N03A |
90 |
30 |
0.004 |
0.0031 |
2200 |
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KNY3303A |
90 |
30 |
0.004 |
0.0031 |
2200 |
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KNY3103A |
110 |
30 |
0.0026 |
0.0019 |
3650 |
DFN5*6與DFN3*3封裝MOS管廠家，KIA半導體開啟了前行之路，注冊資金1000萬，辦公區域達1200平方，已經擁有了獨立的研發中心，研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案，同時引進多臺國外先進設備，業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統分析、失效分析等領域。強大的研發平臺，使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。
強大的研發平臺，使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。
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