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常用場(chǎng)效應(yīng)管貼片封裝大全-場(chǎng)效應(yīng)管貼片管腳圖及種類(lèi)-KIA MOS管

信息來(lái)源：本站　日期：2018-12-14　

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場(chǎng)效應(yīng)管貼片封裝形式

MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。按照安裝在PCB 方式來(lái)區(qū)分,MOS管封裝主要有兩大類(lèi):插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB的安裝孔焊接在PCB 上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤(pán)上。

場(chǎng)效應(yīng)管貼片封裝

場(chǎng)效應(yīng)管貼片封裝規(guī)格為T(mén)O封裝

TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規(guī)格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。近年來(lái)表面貼裝市場(chǎng)需求量增大，TO封裝也進(jìn)展到表面貼裝式封裝。

TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK，TO-263又稱之為D2PAK。

D-PAK封裝的MOSFET有3個(gè)電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過(guò)PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤(pán)有三處，漏極（D）焊盤(pán)較大。

貼片封裝TO-252引腳圖

場(chǎng)效應(yīng)管貼片封裝流行的還是雙列直插封裝，簡(jiǎn)稱DIP(Dual ln-line Package)。DIP封裝在當(dāng)時(shí)具有適合PCB(印刷電路板)的穿孔安裝，具有比TO型封裝易于對(duì)PCB布線以及操作較為方便等一些特點(diǎn)，其封裝的結(jié)構(gòu)形式也很多，包括多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP等等。常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝。

場(chǎng)效應(yīng)管貼片

SOT封裝

SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝，比TO封裝體積小，一般用于小功率MOSFET。常見(jiàn)的規(guī)格如上。

主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。

場(chǎng)效應(yīng)管貼片

SOT-23封裝

場(chǎng)效應(yīng)管貼片

SOP封裝

SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀（L 字形）。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，業(yè)界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。

SO-8采用塑料封裝，沒(méi)有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。

SO-8是PHILIP公司首先開(kāi)發(fā)的，以后逐漸派生出TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。

這些派生的幾種封裝規(guī)格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。

QFN-56封裝

場(chǎng)效應(yīng)管貼片

QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面貼裝型封裝之一，中文叫做四邊無(wú)引線扁平封裝，是一種焊盤(pán)尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。現(xiàn)在多稱為L(zhǎng)CC。QFN是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。

封裝四邊配置有電極接點(diǎn)，由于無(wú)引線，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。這種封裝也稱為L(zhǎng)CC、PCLC、P－LCC等。QFN本來(lái)用于集成電路的封裝，MOSFET不會(huì)采用的。Intel提出的整合驅(qū)動(dòng)與MOSFET的DrMOS采用QFN-56封裝，56是指在芯片背面有56個(gè)連接Pin。

場(chǎng)效應(yīng)管貼片管腳圖

部分貼片場(chǎng)效應(yīng)管的管腳排列如下圖。此外，我們］可利用萬(wàn)用表Rx1k檔判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電極，黑表筆碰觸一個(gè)電極，紅表筆依次碰觸另外兩個(gè)電極，若兩次測(cè)出的阻值都很大，則是P溝道且黑表筆接的是柵極。反之，兩次阻值均很小，則是N溝道，黑表筆接的也是柵極，但此法不能用于測(cè)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

場(chǎng)效應(yīng)管貼片

部分場(chǎng)效應(yīng)管管腳排列

另外，還可用萬(wàn)用表估測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力，如下圖。手捏住柵極后，表針會(huì)向左擺動(dòng)（或向右），但只要有明顯擺動(dòng)說(shuō)明此管有放大能力，擺動(dòng)小，放大能力弱。由于測(cè)量進(jìn)g-結(jié)電窄上充有少量電荷，每次測(cè)量后要將g-s間短路一下，否則再次測(cè)可能表針不動(dòng)。

對(duì)于大功率場(chǎng)效應(yīng)管，如下圖（a）所示，從左至右，管腳排列基本為G、D、S極（散熱片接D極）：采用絕緣底板模塊封裝的特種場(chǎng)效應(yīng)管通常有四個(gè)管腳，如下圖示，上面的兩個(gè)通常為兩個(gè)S極（相連），下面的兩個(gè)分別為G、D極；采用貼片封裝的場(chǎng)效應(yīng)管，如下圖示，散熱片是D極，下面的三個(gè)腳分別是G、D、S極。

場(chǎng)效應(yīng)管貼片