電壓規(guī)格：VDSS、VDS、BVDSS、V(BR)DSS

VDSS中的“V”表示電壓，前面的“D”、“S”表示“Drain”（漏極）與“Source”（源極），最后一個(gè)“s”表示“Short”（短路）。VDSS的具體含義是“Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted”，中文含義是“柵極與源極短接時(shí)，漏極與源極問(wèn)能夠承受的最大電壓”。有時(shí)候也稱(chēng)為“零柵壓最大漏源電壓”。

—-直稱(chēng)之為“電壓規(guī)格”，之后我們還將這樣稱(chēng)呼它，既簡(jiǎn)單又明了，同時(shí)還給它另一個(gè)稱(chēng)呼：耐壓，這符合行業(yè)習(xí)慣。因?yàn)槌^(guò)電壓規(guī)格，VMOS就可能被擊穿損壞，因此電壓規(guī)格有時(shí)候也稱(chēng)為“零柵壓擊穿電壓”。

BVDSS（漏源擊穿電壓）的含義雖然與VDSS略有差異，但是在數(shù)值上一般是相同的。一般技術(shù)手冊(cè)中給出的VDSS為額定值，BVDSS給出的是最小值，所謂數(shù)值相同，是VDSS的額定值與BVDSS的最小值相同。由此可以看出來(lái)，VDSSV是側(cè)重于測(cè)量的一個(gè)參數(shù)，BVDSS是側(cè)重于電路應(yīng)用的參數(shù)。

VDSS、VDS的含義相同，BVDSS、V(BR)DSS的含義相同，只是不同制造商的應(yīng)用習(xí)慣有所不同。但是VDS也常常用來(lái)表示源極與漏極之間的實(shí)際電壓而不是極限的擊穿電壓，因此為了避免歧義，采用的是VDSS。

很顯然，VDSS表示的是VMOS在關(guān)斷條件下承受正向電壓的能力。在關(guān)斷條件下，VMOS的柵極—源極間的偏置不外乎四種情況（圖3.1）。

反向偏置指的是讓VMOS關(guān)斷程度加深的偏置電壓，對(duì)于N溝道VMOS，顯然是柵極電壓低于源極電壓的情況；P溝道則相反。這種方式在高頻條件下比零柵壓更為可靠，在實(shí)際的高頻電路中，尤其是希望VMOS迅速關(guān)斷的電路中，這種負(fù)柵壓的偏置方法會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)。

旁路( Shunt)方法是希望VMOS的關(guān)斷不要像反向偏置那么快，在常態(tài)下，與零柵壓是相當(dāng)?shù)模撮_(kāi)封的新模塊上常常會(huì)配置旁路電阻，以保護(hù)模塊不會(huì)被靜電擊穿。在有些高速電路中，為了減小電路中的電流變化速度，也會(huì)采用旁路柵極的方法。旁路的另一個(gè)作用是，使VMOS的輸入電阻不至于過(guò)高，有了旁路電阻，VMOS的輸人電阻就大致等于旁路電阻的阻值。

對(duì)于VMOS而言，柵極懸空無(wú)論是何種條件下都是應(yīng)該盡量避免的，稍有不慎，就會(huì)導(dǎo)致VMOS擊穿損壞。這時(shí)候的擊穿一般是柵極與源極擊穿，而不管源極、漏極間的電壓是高還是低。 除了槽柵結(jié)構(gòu)的VMOS，零柵壓、反相偏置、旁路情況下測(cè)得的擊穿電壓是大致相等的；對(duì)于槽柵結(jié)構(gòu)的VMOS，零柵壓情況下測(cè)得的擊穿電壓最高。因此，VDSS表示的是VMOS在關(guān)斷條件下承受正向電壓的最高能力。

圖3.1中的可調(diào)電流源”指的是限流電路，保證回路電流不超過(guò)某一設(shè)定值，“可調(diào)電壓源”就比較容易理解了。這兩種電源符號(hào)在測(cè)試晶體管的電路中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)。

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