mos器件漏極偏壓詳解原因 n溝道MOSFET
信息來源：本站 日期：2017-07-06
MOSFET按比例減少MOSFET尺寸的縮減在一開端即為一持續(xù)的趨向．在集成電路中，較小的器件尺寸可到達較高的器件密度，此外，較短的溝道長度町改善驅(qū)動電流（ID~1/L）以及工作時的特性，但是，由于電子器件尺寸的縮減，溝道邊緣（如源極、漏極及絕緣區(qū)邊緣）的擾動將變得愈加重要，因而器件的特性將不再恪守長溝道近似的假定．
當(dāng)器件尺寸縮減時，必需將短溝道效應(yīng)降至最低水平，以確保正常的器件特性及電路工作，在器件按比例減少設(shè)計叫需求一些原則，一個扼要維持長溝道特性的辦法為將一切的尺寸及電壓，除上一按比例減少要素k(>1)，如此內(nèi)部電場將堅持好像長n溝道MOSFET普通，此辦法稱為定電場按比例減少.
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請搜微信號:“KIA半導(dǎo)體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”
長按二維碼識別關(guān)注
