MOS管防倒灌電路的設(shè)計原理是利用MOS管的開關(guān)特性，當(dāng)電源正常連接時，MOS管處...MOS管防倒灌電路的設(shè)計原理是利用MOS管的開關(guān)特性，當(dāng)電源正常連接時，MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)電源斷開或有電流倒灌風(fēng)險時，MOS管迅速關(guān)斷，阻止電流逆向流動。
bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)...bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 5.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提升效率；具有開關(guān)速度快，內(nèi)阻...
當(dāng)VUSB有電，PMOS管截止，即便有體二極管電流流過，但是因?yàn)閂USB會比Vbat電壓高...當(dāng)VUSB有電，PMOS管截止，即便有體二極管電流流過，但是因?yàn)閂USB會比Vbat電壓高，PMOS的Vgsl
共模電感：是指當(dāng)交流電通過電路時，同時抑制電路中電流流向地線的電感。它主要...共模電感：是指當(dāng)交流電通過電路時，同時抑制電路中電流流向地線的電感。它主要用于濾除共模干擾，即在線路與地線之間產(chǎn)生的干擾電流。 差模電感：是指當(dāng)交流電通...
KND3403C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ...KND3403C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，性能優(yōu)越；具備低柵極電荷、低反向傳輸電容，快速切換...
