直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器工作原理詳解-KIA MOS管

直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)原理

直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是通過調(diào)節(jié)直流電機(jī)的輸入電流，從而控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩；主要由電源、控制器、驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)組成，控制器根據(jù)輸入信號(hào)發(fā)出控制指令，驅(qū)動(dòng)器根據(jù)指令調(diào)節(jié)電機(jī)的電流，進(jìn)而控制電機(jī)的運(yùn)動(dòng)。

功率轉(zhuǎn)換（H橋電路）

由4個(gè)功率開關(guān)管（如MOSFET或IGBT）構(gòu)成H型全橋，分為上下兩組互補(bǔ)導(dǎo)通。

通過切換開關(guān)管組合，改變電機(jī)端電壓極性，實(shí)現(xiàn)正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)及制動(dòng)。

例如：S1/S2導(dǎo)通時(shí)電流正向流動(dòng)，電機(jī)正轉(zhuǎn)；S3/S4導(dǎo)通時(shí)電流反向，電機(jī)反轉(zhuǎn)。

保護(hù)機(jī)制：續(xù)流二極管為電樞繞組提供電流回路，避免開關(guān)管關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰。

控制信號(hào)處理

PWM調(diào)制：通過調(diào)節(jié)脈沖寬度占空比控制平均電壓，實(shí)現(xiàn)無級(jí)調(diào)速。占空比越大，電機(jī)轉(zhuǎn)速越高。

邏輯隔離：光電隔離電路分離控制信號(hào)與功率電路，防止干擾。

死區(qū)時(shí)間：為避免上下橋臂直通短路，控制信號(hào)需插入微秒級(jí)延遲。

閉環(huán)反饋系統(tǒng)

電流/速度環(huán)：霍爾傳感器或編碼器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電機(jī)狀態(tài)，與設(shè)定值比較后通過PID算法調(diào)整PWM輸出。

應(yīng)用示例：伺服驅(qū)動(dòng)器通過位置反饋實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)定位，誤差可控制在±0.01°內(nèi)。

直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路圖

使用單個(gè) N 溝道 MOSFET 的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。在該電路中，直流電機(jī)繼續(xù)沿一個(gè)方向運(yùn)行，直到按下開關(guān)時(shí)它會(huì)反轉(zhuǎn)方向。

直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,原理

一個(gè) 12VDC 電池作為能源。開關(guān) Sw1 將其直接連接到兩個(gè) MOSFET 的柵極。兩個(gè) MOSFET 的源極引腳均連接至地或電池的負(fù)極端子。當(dāng)兩個(gè)源都連接到地或電池的負(fù)極端子時(shí)，直流電機(jī)的輸出將出現(xiàn)在 Q1 的漏極引腳和 Q2 的源極中。

在電池和FET的每個(gè)柵極之間連接一個(gè)按鈕可以用來控制晶體管的ON/OFF狀態(tài)。當(dāng)未按下按鈕時(shí)，晶體管將處于開路狀態(tài)，電機(jī)從其正極引腳上 FET Q1 的漏極接收 12V 電壓。 Q2 到電機(jī)負(fù)極引腳的電壓為 0V。但是當(dāng)按下按鈕時(shí)，使晶體管處于飽和狀態(tài)。因此，電機(jī)現(xiàn)在從 Q1 接收 0V，從 Q2 接收 12V，從而改變電機(jī)的旋轉(zhuǎn)方向。

可以以類似的方式添加電機(jī)來完全控制它。確保MOSFET 能夠處理此處使用的電機(jī)的電流攝入。另外，如果使用電池為電路供電，記住電機(jī)的電流攝入量應(yīng)小于電池的電流消耗容量。

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直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,原理