KIA28N50場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ...KIA28N50場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低柵極電荷、低Crss，最小化開關(guān)損耗，以及100%雪崩Aested、提高dv/...
KIA50N03CD是一款漏源擊穿電壓30V, 漏極電流最大值為50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ...KIA50N03CD是一款漏源擊穿電壓30V, 漏極電流最大值為50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ)@VGS=10V，性能優(yōu)質(zhì)的場(chǎng)效應(yīng)管，非常適合應(yīng)用在潛水泵控制板上，KIA50N03CD可最大限...
6140S N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如開關(guān)...6140S N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、螺線管、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器。knp6140漏源擊穿電壓400V,...
irfp3206場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為200A；RDS（on）（典型值）=...irfp3206場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為200A；RDS（on）（典型值）=2.4mΩ@Vgs=10V。60v 200a場(chǎng)效應(yīng)管irfp3206型號(hào)適合應(yīng)用于：開關(guān)電源中的高效同步整...
ncep15t14場(chǎng)效應(yīng)管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能夠使用...ncep15t14場(chǎng)效應(yīng)管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能夠使用KIA半導(dǎo)體的KNX2915A型號(hào)替代，KNX2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流最大為130A；RDS...
KIA2906A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@V...KIA2906A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@Vgs=10V，具有低電荷最小化開關(guān)損耗，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，KIA2906A能夠完美匹配hy1906...
