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信息來源：本站 日期：2023-10-17
6140S N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如開關穩壓器、開關轉換器、螺線管、電機驅動器、繼電器驅動器。
knp6140漏源擊穿電壓400V, 漏極電流最大值為11A ,RDS(on)=0.53mΩ(typ)@VGS=10V，封裝形式：TO-220，具有較低的導通電阻、優越的開關性能、極高的雪崩擊穿耐量，可最大限度地減少導通損耗，卓越高效，KIA半導體原廠直銷。
knp6140特性：
11A，400V，RDS（開啟）典型值=0.53Ω@VGS=10 V
低柵極電荷（典型15.7nC）
高堅固性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv/dt功能
KIA半導體專業生產MOS管場效應管廠家（國家高新技術企業）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場，研發為先導，了解客戶需求，運用創新的集成電路設計方案和國際同步研發技術，結合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關產品，產品的穩定性，高性價比，良好的服務，以及和客戶充分的技術，市場溝通的嚴謹態度，在移動數碼，LCE,HID,LED,電動車，開關電源，逆變器，節能燈等領域深得客戶認可。
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