irf?3205場效應管代換KNX3206A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為110A；RDS (...irf?3205場效應管代換KNX3206A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為110A；RDS (on) = 6.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3206A具有低RDS（ON)以減小導電損耗、低門電荷在快...
hy1603場效應管代換KNX3403A漏源擊穿電壓30V，漏極電流最大值為85A；RDS (on) ...hy1603場效應管代換KNX3403A漏源擊穿電壓30V，漏極電流最大值為85A；RDS (on) = 4.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3403A具有無鉛綠色設備、降低導電損耗、高雪崩電流等特...
KIA3506A漏源擊穿電壓60V，漏極電流為70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；...KIA3506A漏源擊穿電壓60V，漏極電流為70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低電阻、高UIS和UIS 100%測試；KIA3506A可以代換RU6070L、CEP6086、STF140N6...
低內阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V，漏極電流為50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =1...低內阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V，漏極電流為50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =10V；具有低Rds開啟，可將傳導損耗降至最低、高雪崩電流等特點；KIA50n06可以代換SQD...
低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V，漏極電流為25A，RDS(on) =25mΩ@ V...低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V，漏極電流為25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；先進的高密度溝槽技術制造，封裝形式：TO-251/252。KIA30N06B3場效應管可以...
KIA100N03場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；...KIA100N03場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；KIA100N03場效應管非常適合應用于小功率LED、鋰電池保護板等產品領域，KIA100N03場效...
