nce01p18k參數代換KIA23P10A場效應管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流為-23A，RDS（...nce01p18k參數代換KIA23P10A場效應管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流為-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先進的溝槽MOSFET技術，提供出色的R...
NCE80H16代換KIA2808A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流為150A，RDS（ON）=4....NCE80H16代換KIA2808A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流為150A，RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA2808A場效應管具有100%雪崩測試，無鉛和綠色設備可用（...
ru6888r場效應管代換KNX3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流為70A，RDS（O...ru6888r場效應管代換KNX3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流為70A，RDS（ON）=7.5mΩ（典型值）@ VGS=10v；KNX3508A 80V 70A場效應管具有100%雪崩測試，可靠、...
KIA2807N場效應管漏源擊穿電壓75V，漏極電流為150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V...KIA2807N場效應管漏源擊穿電壓75V，漏極電流為150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；KIA2807N 75V 150A采用超高密度電池設計；超低導通電阻、100%雪崩測試、可提供無鉛...
70n08場效應管代換?KIA3407A漏源擊穿電壓70V，漏極電流為80A，VDSS=70V/ VGSS...70n08場效應管代換?KIA3407A漏源擊穿電壓70V，漏極電流為80A，VDSS=70V/ VGSS=+25V/ID=80A,,RDS(ON)=10.8m?(Max.)@VGS=10V；采用KIA半導體的先進的溝槽工藝技術...
ncep60t20代換場效應管KNX1906漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為230A；RDS (o...ncep60t20代換場效應管KNX1906漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為230A；RDS (on) = 2.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX1906具有無鉛綠色設備、降低導電損耗、高雪崩電流等...
