25n06參數,2n60場效應管參數,25n06代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-11-22
低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V，漏極電流為25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；先進的高密度溝槽技術制造，封裝形式：TO-251/252。
KIA30N06B 60V 25A場效應管在HID車燈、LED驅動、醫療器械、警用單車防盜應用領域熱銷，KIA30N06B3場效應管可以代換RU60E25L、RJK0651DPB、CS25N06B4、NCE60P25K、25n06、FQB30N06L場效應管型號進行使用，優質國產廠家直銷。
KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數同步BUCK變換器的應用提供了優良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B具有超低端滑蓋裝、優良的CDV/dt效應遞減，滿足RoHS和綠色產品要求，100%的EAS保證了全部功能的可靠性。
高頻點同步降壓變換器
網絡化DC-DC電源系統
負荷開關
產品型號：KIA30N06
工作方式：25A/60V
漏流電壓：60V
柵源電壓（連續）：±20V
連續漏電流：25A
脈沖漏極電流：50A
雪崩能量：22.6A
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：60V
溫度系數：0.063V/℃
柵極閾值電壓：12V
輸入電容：1345 PF
輸出電容：72.5 PF
上升時間：14.2 ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>