半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過(guò)應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過(guò)應(yīng)力主要...半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過(guò)應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過(guò)應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過(guò)應(yīng)力，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生...
零歐電阻，即電阻標(biāo)值為0歐姆的電阻稱(chēng)為零歐電阻。是一種理想電阻，多用于PCB設(shè)...零歐電阻，即電阻標(biāo)值為0歐姆的電阻稱(chēng)為零歐電阻。是一種理想電阻，多用于PCB設(shè)計(jì)等方面。對(duì)于初學(xué)者可能會(huì)有一個(gè)疑問(wèn)：既然阻止是零，那么和一根導(dǎo)線有什么區(qū)別？...
20 世紀(jì)90 年代以來(lái)，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技術(shù)的迅速發(fā)展，引...20 世紀(jì)90 年代以來(lái)，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技術(shù)的迅速發(fā)展，引起人們對(duì)這種新一代功率器件的廣泛關(guān)注。與Si 材料相比，碳化硅材料較高的熱導(dǎo)率決定...
小腳設(shè)備在各種低壓電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中提供了可測(cè)量的優(yōu)勢(shì)。在計(jì)算機(jī)硬盤(pán)中，諸如...小腳設(shè)備在各種低壓電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中提供了可測(cè)量的優(yōu)勢(shì)。在計(jì)算機(jī)硬盤(pán)中，諸如磁道密度，尋道時(shí)間和功耗之類(lèi)的關(guān)鍵特征與主軸電機(jī)和磁頭致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路的效率直接...
設(shè)計(jì)放大電路時(shí)，隨著信號(hào)的幅度的增大，輸出信號(hào)逐漸增大。但會(huì)遇到下面兩種情...設(shè)計(jì)放大電路時(shí)，隨著信號(hào)的幅度的增大，輸出信號(hào)逐漸增大。但會(huì)遇到下面兩種情況： 1）當(dāng)輸出信號(hào)增大到一定程度時(shí)，雖然此時(shí)的輸出信號(hào)幅度還沒(méi)有達(dá)到電源軌，...
電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類(lèi)型進(jìn)行分類(lèi)：雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（...電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類(lèi)型進(jìn)行分類(lèi)：雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）或是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）。一些放大器同時(shí)使用這兩種晶體管，在放大器各...
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