也許極低阻值的電阻器（即mΩ級及以下）最常見的應(yīng)用是電流控制電路，因為其低...也許極低阻值的電阻器（即mΩ級及以下）最常見的應(yīng)用是電流控制電路，因為其低阻值可降低功率損耗。對于這類應(yīng)用，大約10%-20%的容差就足夠了。但即使在這樣的容差...
電路工作流程如下： A、 Key按下瞬間，Q2、Q1導(dǎo)通，7805輸入電壓在8.9V左右，...電路工作流程如下： A、 Key按下瞬間，Q2、Q1導(dǎo)通，7805輸入電壓在8.9V左右，7805工作，輸出5V電壓給單片機供電。 B、單片機工作后，將最先進行IO口初始化，IO1...
氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新...氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計出額定功率高達...
在許多中低功率應(yīng)用中，低側(cè)（接地參考）MOSFET由PWM控制IC的輸出引腳驅(qū)動，以...在許多中低功率應(yīng)用中，低側(cè)（接地參考）MOSFET由PWM控制IC的輸出引腳驅(qū)動，以切換感性負載。如果PWM輸出電路可以以可接受的開關(guān)時間驅(qū)動MOSFET而不會耗散過多功率...
碳化硅設(shè)備或設(shè)備因在不久的將來有可能在電力電子設(shè)備（特別是大功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用...碳化硅設(shè)備或設(shè)備因在不久的將來有可能在電力電子設(shè)備（特別是大功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用）中替代硅的傳統(tǒng)設(shè)備而聞名。由于寬帶隙的可用性，高功率密度，較低的電阻和快速的...
許多高性能、高頻率的PWM控制芯片，無論是數(shù)字類型還是模擬類型，都不具備或只...許多高性能、高頻率的PWM控制芯片，無論是數(shù)字類型還是模擬類型，都不具備或只有有限的直接驅(qū)動功率MOSFET的能力。因為功率MOSFET對柵極驅(qū)動電流有較高的要求，驅(qū)...
