10n65場(chǎng)效應(yīng)管是針對(duì)儲(chǔ)能電源，有更耐沖擊，同等參數(shù)雪崩更高的MOSFET。10n65場(chǎng)效應(yīng)管是針對(duì)儲(chǔ)能電源，有更耐沖擊，同等參數(shù)雪崩更高的MOSFET。
在社會(huì)的飛速發(fā)展中，便攜式儲(chǔ)能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產(chǎn)品對(duì)...在社會(huì)的飛速發(fā)展中，便攜式儲(chǔ)能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產(chǎn)品對(duì)MOS管的使用。10n60針對(duì)儲(chǔ)能電源應(yīng)用，具有更耐沖擊、同等參數(shù)雪崩更高的特性，提高...
KIA10N120V參數(shù)： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - ...KIA10N120V參數(shù)： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
KNX4760A 8A 600V-應(yīng)用領(lǐng)域 適配器充電器 SMPS電源 液晶面板電源KNX4760A 8A 600V-應(yīng)用領(lǐng)域 適配器充電器 SMPS電源 液晶面板電源
IGBT背面工藝首先是基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎(chǔ)上，將硅片通過機(jī)械減...IGBT背面工藝首先是基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎(chǔ)上，將硅片通過機(jī)械減薄或特殊減薄工藝（如Taiko、Temporary Bonding 技術(shù)）進(jìn)行減薄處理，然后對(duì)減薄硅...
亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關(guān)斷狀態(tài)之間相互轉(zhuǎn)換速率的性能指標(biāo)，它代表源漏...亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關(guān)斷狀態(tài)之間相互轉(zhuǎn)換速率的性能指標(biāo)，它代表源漏電流變化十倍所需要柵電壓的變化量，又稱為S因子，S越小意味著開啟關(guān)斷速率ON/OFF越...
