10n65場效應管是針對儲能電源，有更耐沖擊，同等參數雪崩更高的MOSFET。10n65場效應管是針對儲能電源，有更耐沖擊，同等參數雪崩更高的MOSFET。
在社會的飛速發展中，便攜式儲能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產品對...在社會的飛速發展中，便攜式儲能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產品對MOS管的使用。10n60針對儲能電源應用，具有更耐沖擊、同等參數雪崩更高的特性，提高...
KIA10N120V參數： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - ...KIA10N120V參數： ID(A): 10 BVDSS(V): 1200 RDS(ON): - Qg(nC): - Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P
KNX4760A 8A 600V-應用領域 適配器充電器 SMPS電源 液晶面板電源KNX4760A 8A 600V-應用領域 適配器充電器 SMPS電源 液晶面板電源
IGBT背面工藝首先是基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎上，將硅片通過機械減...IGBT背面工藝首先是基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎上，將硅片通過機械減薄或特殊減薄工藝（如Taiko、Temporary Bonding 技術）進行減薄處理，然后對減薄硅...
亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關斷狀態之間相互轉換速率的性能指標，它代表源漏...亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關斷狀態之間相互轉換速率的性能指標，它代表源漏電流變化十倍所需要柵電壓的變化量，又稱為S因子，S越小意味著開啟關斷速率ON/OFF越...
