10n65場效應管參數 儲能電源高壓MOS管10n65 650V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-01
KIA10N65H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。10n65場效應管是針對儲能電源，有更耐沖擊，同等參數雪崩更高的MOSFET。
RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V
快速交換功能
指定的雪崩能量
改進的DV/DT功能
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。
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