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1200V MOS管KIA10N120V1、KIA20N120V1碳化硅場效應管-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-07-26 

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1200V碳化硅MOS-KIA10N120V1、KIA20N120V1碳化硅場效應管-KIA MOS管


KIA10N120V1

參數: ID(A): 10    BVDSS(V): 1200 RDS(ON): -    Qg(nC): -    Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P


KIA20N120V1

參數: ID(A): 20    BVDSS(V): 1200    RDS(ON): -    Qg(nC): -    Package: TO-220、TO-220F、TO-247、TO-3P

碳化硅 KIA10N120V1 KIA20N120V1

充電樁-碳化硅MOS管產品特點

1、高頻特性 高溫特性 高壓特性

2、碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍

3、碳化硅肖特基管耐壓可達2400V

4、碳化硅場效應管耐壓可達數萬伏,且通態電阻小


充電樁-碳化硅MOS管型號

在這里沒有完全列出在充電樁中所用到的MOS管型號、參數及封裝,詳細了解其他型號請致電KIA半導體。

Part Numbe

IFA

VRMV

VF@IFV25

Package

KIA08065V1

8

650

1.8

TO-220F-2

TO-220-2

TO-247-2

KIA10065V1

10

650

1.8

KIA15170V1

15

1700

2

KIA20065V1

20

650

1.8


Part Numbe

IDA

BVDSSV

Package

KIA10N120V1

10

1200

TO-220F

TO-220

TO-3P

TO-247

KIA20N120V1

20

1200

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業,竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發創新,為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。


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