功率MOS管Coss會產(chǎn)生開關損耗，在正常的硬開關過程中，關斷時VDS的電壓上升，電...功率MOS管Coss會產(chǎn)生開關損耗，在正常的硬開關過程中，關斷時VDS的電壓上升，電流ID對Coss充電，儲存能量。在MOS管開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Cos...
反向電流損害：外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂...反向電流損害：外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為...
MOS管柵極懸空：MOS管經(jīng)常用于電路的開關控制，通過改變柵極(gate)的電壓來使漏...MOS管柵極懸空：MOS管經(jīng)常用于電路的開關控制，通過改變柵極(gate)的電壓來使漏級(drain)和源級(source)導通或截斷。下面就是一個常見的開關電路。Vg輸入高時，N管...
MOS管DS波形：假設在一臺數(shù)字示波器上只看到這一點波型,知道變壓器電感量為1mH...MOS管DS波形：假設在一臺數(shù)字示波器上只看到這一點波型,知道變壓器電感量為1mH,通過從示波器上測量和計算,得出下列數(shù)值。（1）大約的交流輸入電壓值（2）次級反到...
MOS管與非門：與非門（英語：NANDgate）是數(shù)字邏輯中實現(xiàn)邏輯與非的邏輯門，功...MOS管與非門：與非門（英語：NANDgate）是數(shù)字邏輯中實現(xiàn)邏輯與非的邏輯門，功能見左側(cè)真值表。若當輸入均為高電平（1），則輸出為低電平（0）;若輸入中至少有一個...
氮化鎵MOS管與碳化硅MOS管的結構、性能差異：作為第三代功率半導體的絕代雙驕，...氮化鎵MOS管與碳化硅MOS管的結構、性能差異：作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程...
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