H橋驅動感性負載：什么是H橋？H橋是一個比較簡單的電路，通常它會包含四個獨立...H橋驅動感性負載：什么是H橋？H橋是一個比較簡單的電路，通常它會包含四個獨立控制的開關元器件（例如MOS-FET）,它們通常用于驅動電流較大的負載，比如電機，至于...
MOS管的工作機制：由上圖結構我們可以看到 MOS 管類似三極管，也是背靠背的兩個...MOS管的工作機制：由上圖結構我們可以看到 MOS 管類似三極管，也是背靠背的兩個PN結。三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區通過電子-空穴復合來控制...
MOS集成電路電過應力損傷：電過應力(EOS)是MOS集成電路失效分析過程中常見失效...MOS集成電路電過應力損傷：電過應力(EOS)是MOS集成電路失效分析過程中常見失效原因，電過應力損傷對MOS集成電路可靠性危害很大，輕者導致電路電性能下降，留下隱患...
由晶圓供貨緊張引發的多米諾骨牌效應正在半導體產業鏈愈演愈烈。MOS漲價、電源...由晶圓供貨緊張引發的多米諾骨牌效應正在半導體產業鏈愈演愈烈。MOS漲價、電源管理芯片漲價、MCU漲價、汽車電子元件芯片漲價、內存芯片漲價……每一份漲價通知函，...
CS單管放大電路：共源級單管放大電路主要用于實現輸入小信號的線性放大，即獲得...CS單管放大電路：共源級單管放大電路主要用于實現輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態工作點，而...
適用于LLC變壓器，其特征在于，包括：第一MOS開關管、第二MOS開關管、第一電容...適用于LLC變壓器，其特征在于，包括：第一MOS開關管、第二MOS開關管、第一電容、電感和至少兩個變壓器;所述變壓器的原邊串聯、副邊并聯;所述第一MOS開關管與第二M...
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