MOS管DS波形圖文解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-01-18
開關(guān)MOSDS波形圖
MOS管DS波形：假設(shè)在一臺數(shù)字示波器上只看到這一點(diǎn)波型,知道變壓器電感量為1mH,通過從示波器上測量和計(jì)算,得出下列數(shù)值。
（1）大約的交流輸入電壓值
（2）次級反到初級的電壓
（3）占空比
（4）變壓器漏感
（5）變壓器和MOS的總雜散電容
（6）變壓器傳送的能量
明顯反激,而且是斷續(xù)模式
剛開始是漏感震蕩,后來是電感和mosfet的電容震蕩
前一個(gè)直流電壓是Vin+(Np/Ns)(Vo+VF(二極管導(dǎo)通壓降))
后一個(gè)就是Vin
后一個(gè)震蕩的周期可以算出Cds大小
高壓時(shí)MOS管的Cds很小,振蕩的電容主體是變壓器雜散電容。
根據(jù)反射電壓,反射電壓持續(xù)時(shí)間,輸入電壓就可以計(jì)算導(dǎo)通時(shí)間,占空比也就出來了(伏特秒平衡),Vref*Tvref=Vin*Ton。
當(dāng)MOS管電壓上升到A點(diǎn)時(shí),輸出整流管導(dǎo)通,初級勵(lì)磁電感鉗位于V1。
此時(shí),漏感和雜散電容諧振,由于變壓器線圈存在直流和交流電阻,該振蕩位阻尼振蕩,消耗了漏感中的能量在B點(diǎn)時(shí),勵(lì)磁電感中電流下降為零,次級整流管自然截止,勵(lì)磁電感上電壓下降為零。
勵(lì)磁電感和雜散電容諧振,MOS管的雜散電容Coss向勵(lì)磁電感放電,Vds電壓下降,可從波形中得到驗(yàn)證。
計(jì)算:
如圖所示,可以讀出反射電壓V1,和Vin(DC).則,交流輸入電壓約為Vin(DC)/sqrt(2),不帶PFC。
由伏秒平衡可得,Vin(dc)*Ton=V1*T1,可求得,Ton.那么,占空比D=Ton/(Ton+T1+T2)。
近似求解,從圖中分別讀出漏感、勵(lì)磁電感同雜散電容諧振的頻率,根據(jù)f=1/(2*pi*sqrt(L*c)),由勵(lì)磁電感感量已知,為1mH,可求得雜散電容值.進(jìn)一步就可求得漏感的感量。
從波形中可以看出,此時(shí)該反激電路工作于斷續(xù)模式,初級能量完全傳送到次級。
根據(jù)Vin*Ton=Lp*Ip,其中,Lp為1mH,就可求得初級峰值電流Ip,那么,該變壓器在一個(gè)周期內(nèi)傳送的能量為:1/2*Lp*Ip^2。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
<ul id="ou8ay"></ul>