MOS管在功率放大電路中具有高頻響應(yīng)快、導(dǎo)通損耗低和驅(qū)動(dòng)效率高等核心優(yōu)勢(shì)；廣...MOS管在功率放大電路中具有高頻響應(yīng)快、導(dǎo)通損耗低和驅(qū)動(dòng)效率高等核心優(yōu)勢(shì)；廣泛應(yīng)用于專業(yè)音響系統(tǒng)、舞臺(tái)設(shè)備、汽車電子和射頻功率放大等領(lǐng)域。 1.高效率與大功...
當(dāng)漏源短接時(shí)測(cè)得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cg...當(dāng)漏源短接時(shí)測(cè)得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cgd。這個(gè)參數(shù)對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了驅(qū)動(dòng)器需要提供的最大充電電流...
KNF6145A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術(shù)制造，...KNF6145A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.39Ω（典型值），最大限度地降低導(dǎo)通電阻，超低柵極電荷，減...
步進(jìn)電機(jī)控制器通過(guò)發(fā)出脈沖信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)角度、速度和方...步進(jìn)電機(jī)控制器通過(guò)發(fā)出脈沖信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)角度、速度和方向的精確控制，是一種專門用于控制步進(jìn)電機(jī)運(yùn)行的設(shè)備。
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達(dá)1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)...碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達(dá)1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)器件。
KIA08TB60DD快恢復(fù)二極管開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源和逆...KIA08TB60DD快恢復(fù)二極管開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源和逆變器場(chǎng)景；反向恢復(fù)時(shí)間僅需25納秒（典型值）；高溫穩(wěn)定性結(jié)溫可達(dá)175℃，采用高溫玻...
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