雙極型晶體管，BJT，是一種三端有源器件，通過控制基區電流來控制集電區電流，...雙極型晶體管，BJT，是一種三端有源器件，通過控制基區電流來控制集電區電流，從而實現電流的放大、調節和開關等功能。 雙極型晶體管是一種廣泛應用于電子電路中...
低壓降穩壓器LDO，即低壓差線性穩壓器，是一種在輸入電壓與輸出電壓壓差很小的...低壓降穩壓器LDO，即低壓差線性穩壓器，是一種在輸入電壓與輸出電壓壓差很小的條件下能正常工作的穩壓器。其核心作用是在電路中維持穩定的電壓輸出，即便在輸入電...
KPD3606A P溝道場效應管漏源擊穿電壓-60V，漏極電流-60A，采用先進的高單元密度...KPD3606A P溝道場效應管漏源擊穿電壓-60V，漏極電流-60A，采用先進的高單元密度溝槽制造，極低導通電阻RDS（ON）11.6mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，超低...
半導體分立器件是由半導體材料制成的獨立電子元件，具有單一或特定功能，包括晶...半導體分立器件是由半導體材料制成的獨立電子元件，具有單一或特定功能，包括晶體二極管、三極管及場效應管、晶閘管等類別，其導電性能介于導體與絕緣體之間；主要...
按照芯片功能的不同： 分立器件可以分為二極管、三極管、IGBT、MOSFET、晶閘管...按照芯片功能的不同： 分立器件可以分為二極管、三極管、IGBT、MOSFET、晶閘管等。 按照功率、電流的不同： 分立器件可分為小信號器件和功率分立器件兩大類：小...
KNK74120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，采用先進平面工藝制造，極...KNK74120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，采用先進平面工藝制造，極低導通電阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷減少開關...
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