分立器件有哪些?封裝形式介紹-KIA MOS管

分立器件

分立器件主要由芯片、引線/框架、塑封外殼幾部分組成，其中芯片決定器件功能，諸如整流、穩(wěn)壓、開(kāi)關(guān)、保護(hù)、放大等，引線/框架實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接以及熱量的導(dǎo)出，塑封外殼則為芯片及內(nèi)部結(jié)構(gòu)提供保護(hù)。

分立器件的分類(lèi)

基礎(chǔ)元件

二極管：包括普通二極管（如硅/鍺二極管）、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）等。

三極管：如NPN/PNP型雙極型晶體管（BJT）、達(dá)林頓管等。

功率器件

MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）：適用于高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）：結(jié)合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場(chǎng)景。

晶閘管（可控硅）：包括單向/雙向可控硅（SCR/Triac），用于交流調(diào)壓等場(chǎng)景。

整流器與整流堆：如橋式整流器、高壓整流堆。

特種器件及傳感器

光電器件：如光耦、光敏二極管/三極管。

敏感器件：涵蓋壓力、磁敏（霍爾器件）、氣敏、濕敏、離子敏感等傳感器。

雪崩管、階躍恢復(fù)管等特殊功能器件。

分立器件,封裝形式

按照芯片功能的不同：

分立器件可以分為二極管、三極管、IGBT、MOSFET、晶閘管等。

按照功率、電流的不同：

分立器件可分為小信號(hào)器件和功率分立器件兩大類(lèi)：小信號(hào)器件為耗散功率小于1W（或者額定電流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1W（或者額定電流不小于1A）的分立器件則歸類(lèi)為功率分立器件。按器件結(jié)構(gòu)不同，功率分立器件又可分為二極管、晶體管、晶閘管等。

功率半導(dǎo)體分立器件中，市場(chǎng)對(duì)MOSFET、 IGBT以及二極管需求較大。據(jù)芯謀研究的數(shù)據(jù)，MOSFET約占功率分立器件市場(chǎng)份額的四成，IGBT占三成，二極管占兩成，三者合計(jì)約占90%。

MOSFET具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路，更適合中低壓（<1000V）和高頻應(yīng)用。

IGBT由BJT和MOSFET組合而成，兼具兩者優(yōu)點(diǎn)，即高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低等，適用于高壓（600V以上）和大電流場(chǎng)景。