在電源等設(shè)備中通常需要做電流檢測(cè)或反饋，電流檢測(cè)通常用串聯(lián)采樣電阻在通過(guò)放...在電源等設(shè)備中通常需要做電流檢測(cè)或反饋，電流檢測(cè)通常用串聯(lián)采樣電阻在通過(guò)放大器放大電阻上的電壓的方法，如果要提高檢測(cè)精度這地方往往要用到比較昂貴的儀表放...
MOS管4.0A600V KNX4360A特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切換 ...MOS管4.0A600V KNX4360A特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切換 雪崩測(cè)試100% 提高dv/dt能力
影響MOS器件及其集成電路可靠性的因素很多，有設(shè)計(jì)方面的，如材料、器件和工藝...影響MOS器件及其集成電路可靠性的因素很多，有設(shè)計(jì)方面的，如材料、器件和工藝等的選取；有工藝方面的，如物理、化學(xué)等工藝的不穩(wěn)定性；也有使用方面的，如電、熱...
為了有效地抑制短溝道效應(yīng)，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長(zhǎng)度...為了有效地抑制短溝道效應(yīng)，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長(zhǎng)度以同樣的比例下降。對(duì)于0.1μm尺度的CMOS器件，柵氧化層厚度需達(dá)到3nm左右。對(duì)于超...
電子電路中常用的保護(hù)器件有：穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)電壓抑制TVS管、ESD放電二極管、...電子電路中常用的保護(hù)器件有：穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)電壓抑制TVS管、ESD放電二極管、半導(dǎo)體放電管等先進(jìn)的新型電子元器件。保護(hù)元器件，主要保護(hù)電子電路中的精密器件免...
瞬態(tài)電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppressor）簡(jiǎn)稱TVS，是一種二極管形...瞬態(tài)電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppressor）簡(jiǎn)稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS 二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10的負(fù)12...
