電壓源可以等效轉(zhuǎn)換為一個(gè)理想的電流源IS和一個(gè)電阻RS的并聯(lián)。電流源可以等效轉(zhuǎn)...電壓源可以等效轉(zhuǎn)換為一個(gè)理想的電流源IS和一個(gè)電阻RS的并聯(lián)。電流源可以等效轉(zhuǎn)換為一個(gè)理想電壓源US和一個(gè)電阻RS的串聯(lián)。即轉(zhuǎn)換公式：Us = Rs*Is。
mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是...mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開(kāi)關(guān)損耗。改善辦法：降低開(kāi)關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片（在空載或很輕負(fù)載的...
對(duì)于NMOS，其溝道中的載流子為電子；對(duì)于PMOS，其溝道的載流子為空穴，這就造成...對(duì)于NMOS，其溝道中的載流子為電子；對(duì)于PMOS，其溝道的載流子為空穴，這就造成了二者電流方向的必然不同。
負(fù)載電阻失配與晶體管尺寸失配對(duì)失調(diào)電壓的影響隨著靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓增大而...負(fù)載電阻失配與晶體管尺寸失配對(duì)失調(diào)電壓的影響隨著靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓增大而增大；閾值電壓失配直接折合到輸入。
Veff=VGS-VTH，表示過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓。表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實(shí)是一個(gè)變值，...Veff=VGS-VTH，表示過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓。表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實(shí)是一個(gè)變值，會(huì)隨VGS電壓變化而變化，也會(huì)受VTH的影響（體效應(yīng)），其實(shí)是我們?cè)O(shè)計(jì)過(guò)程中可能會(huì)經(jīng)...
CON_IN輸入引腳是低電壓控制芯片的控制信號(hào)，必須能是pnp三極管導(dǎo)通。VCC是低電...CON_IN輸入引腳是低電壓控制芯片的控制信號(hào)，必須能是pnp三極管導(dǎo)通。VCC是低電壓通常會(huì)是5V或者是12V，1n4007起到保護(hù)作用避免有反向電壓出現(xiàn)時(shí)繼電器閉合，電路...
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