電源切換mos,?2908場效應管,to263封裝mos,KNB2908B-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-11
KNB2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，高密度電池設計，極低導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；具有完全表征雪崩電壓和電流、穩定性和均勻性好，EAS高，抗沖擊能力強、性能優越，廣泛應用于硬開關、電源切換應用、不間斷電源中；封裝形式：TO-263，散熱出色。
漏源電壓：80V
漏極電流：130A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：520A
雪崩能量單脈沖：900MJ
總功耗：245W
閾值電壓：2.9V
總柵極電荷：160nC
輸入電容：7950PF
輸出電容：460PF
反向傳輸電容：380PF
開通延遲時間：24nS
關斷延遲時間：75nS
上升時間：41ns
下降時間：25ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
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