與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。導通電...與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。導通電阻的顯著降低和寄生電容的降低雖然有助于提高效率，但也產生電壓（dv/dt）和電流（...
開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器通常會使用功率器件，在設計過程中要...開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器通常會使用功率器件，在設計過程中要測量功率MOSFET或IGBT結溫，保證其在合理安全的工作范圍，因為功率器件結溫與其安全...
比較平面結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以發現，超結型結構實際是綜合了平面型...比較平面結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以發現，超結型結構實際是綜合了平面型和溝槽型結構兩者的特點，是在平面型結構中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平...
如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增...如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加的課題。而超級結結構是排列多個垂直PN結的結構，可保持耐壓的...
當輸入電壓Ui升高或負載變輕，引起輸出電壓Uo升高后，該電壓通過R2、RP、R3分壓...當輸入電壓Ui升高或負載變輕，引起輸出電壓Uo升高后，該電壓通過R2、RP、R3分壓產生的取樣電壓升高，該電壓加到VT2的基極，由于VT2的發射極電位不變，所以VT2導通...
該電路使用IC LM338K作為電壓調節器，因此我們將獲得穩定和穩壓的輸出。穩壓器...該電路使用IC LM338K作為電壓調節器，因此我們將獲得穩定和穩壓的輸出。穩壓器 IC LM338K 提供最大 5A 的輸出電流，以及 1.2 至 32V 的電壓，它還具有集成的熱和短...
