Turn OFF 尖峰根據封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被...Turn OFF 尖峰根據封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被廣泛采用的TO-247-3L，(b)是近幾年漸漸擴大采用的用于驅動電路的源極端子（即所謂的...
圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的...圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比LTRACE 小。由于CSNB 中積蓄的能量基本不放電，靜電容量越大電壓尖峰抑...
RC 緩沖電路可在各開關元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn O...RC 緩沖電路可在各開關元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn ON 時CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，當開關頻率變高時，RSNB 所消耗的...
半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設...半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設計方法說明了漏極源極之間的電壓尖峰是由于在Turn ON 時流過的電流的能量儲存在線路...
對于小功率電源(50W以內)MOS管的驅動電路設計相對簡單，只需要一個驅動電阻Rg即...對于小功率電源(50W以內)MOS管的驅動電路設計相對簡單，只需要一個驅動電阻Rg即可對MOS管進行驅動。此時的驅動開通電阻和關斷電阻阻值一致。
所有的MOS管導通后都存在導通內阻，當電流流過之后就會產生功率損耗，一般用RD...所有的MOS管導通后都存在導通內阻，當電流流過之后就會產生功率損耗，一般用RDS(ON)來表示，傳導損耗一般來說和MOS的大小成反比，體積越大，其導通電阻一般能做的...
