對于NMOS，當襯源PN結正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效...對于NMOS，當襯源PN結正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效應會導致閾值電壓變大，電流IDS減小。
前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態平衡，此時，同相端、...前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態平衡，此時，同相端、反相端電壓相等(V+=V-)。由此R1上的電壓就是同相端輸入電壓，R1采樣電阻上流過的恒...
Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時，region變為2，為了保證PVT下電路仍處于飽和...Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時，region變為2，為了保證PVT下電路仍處于飽和區，需要讓Vds -Vdsat大于某個經驗值。
MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設置Vg為3.3V，Vd為變量，設置變量Vd值為3....MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設置Vg為3.3V，Vd為變量，設置變量Vd值為3.3V，dc仿真并對design variable ——Vd進行掃描，掃描范圍選擇0-3.3V，掃描方式選擇...
上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。...上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。分析上圖，可知CCM模式下，電流不會趨于0。DCM模式下，電流會趨于0，并且有一定的死...
圖中V為全控型器件，選用IGBT;D為續流二極管。由圖中V的柵極電壓波形UGE可知，...圖中V為全控型器件，選用IGBT;D為續流二極管。由圖中V的柵極電壓波形UGE可知，當V處于通態時，電源Ui向負載供電，UD=Ui。當V處于斷態時，負載電流經二極管D續流，...
