圖1顯示了米勒效應帶來的誤開通。當 MOSFET 關斷而對管導通時， Vds 電壓快速的...圖1顯示了米勒效應帶來的誤開通。當 MOSFET 關斷而對管導通時， Vds 電壓快速的上升產生高的 dv/dt，從而在電容 Cgd 中產生位移電流( igd)。
當電壓通道和電流通道之間存在時間偏移時，測量結果明顯偏高或偏低，而器件的開...當電壓通道和電流通道之間存在時間偏移時，測量結果明顯偏高或偏低，而器件的開關速度越快，偏移的影響就越明顯。圖1為MOS管的關斷損耗測量原理圖，由此可見，只有...
一般來說，開關管工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現在“導通...一般來說，開關管工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現在“導通過程”和“關閉過程”，小部分能量體現在“導通狀態”，而關閉狀態的損耗很小幾乎為...
下面的電路摘自實際LED照明電路的相關部分。該LED驅動電路是DC/DC轉換器通過臨...下面的電路摘自實際LED照明電路的相關部分。該LED驅動電路是DC/DC轉換器通過臨界模式（BCM）的PFC向LED供電的。
雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。該...雙脈沖測試是廣泛應用于MOSFET和IGBT等功率開關元件特性評估的一種測試方法。該測試不僅可以評估對象元件的開關特性，還可以評估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復...
下圖說明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護的電路連接。需要注意的是MO...下圖說明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護的電路連接。需要注意的是MOSFET必須安裝在電源端。其中漏極D必須連接到電池的正極，柵極必須連接到系統接地端。...
