在電路設計零極點計算中，我們經常需要對MOS管的柵電容進行理論估算，柵電容Cg...在電路設計零極點計算中，我們經常需要對MOS管的柵電容進行理論估算，柵電容Cgg=Cox*W*L，W和L我們可以直接從器件參數得到，接下來我們需要知道MOS管的Cox具體值。...
MOS管電容分別由氧化層電容和半導體電容串聯組成，Cox為固定電容值，和電容極板...MOS管電容分別由氧化層電容和半導體電容串聯組成，Cox為固定電容值，和電容極板的厚度以及面積有關。Cs為可變電容，與MOS管的工作狀態有關。
KNP2915A TO-220 150V130A-描述： SGT MOSFET技術 先進的溝槽MOS技術 低柵極...KNP2915A TO-220 150V130A-描述： SGT MOSFET技術 先進的溝槽MOS技術 低柵極電荷 RDS低（ON）
方法一： dc掃描 AVDD 從-3掃到3V tools-result Brower-dcOpinfo-選定M0的Cg...方法一： dc掃描 AVDD 從-3掃到3V tools-result Brower-dcOpinfo-選定M0的Cgg
當MOSFET工作在開關狀態時，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區和可變電阻區來回...當MOSFET工作在開關狀態時，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區和可變電阻區來回切換的，在切換過程中可能會經過飽和區。
KIA3510A 75A 100V-特征 RDS（打開）=9mΩ（典型值）@VGS=10V 100%雪崩測試 ...KIA3510A 75A 100V-特征 RDS（打開）=9mΩ（典型值）@VGS=10V 100%雪崩測試 可靠且堅固 提供無鉛和綠色設備（符合RoHS標準）
