KNH3206A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)6.5mΩ，能...KNH3206A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)6.5mΩ，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，具備用于快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的低柵極電荷，優(yōu)化的BVDSS能力，...
整流電路所帶負(fù)載為具有反電動(dòng)勢(shì)的阻感負(fù)載。若將電路中的晶閘管替換為二極管，...整流電路所帶負(fù)載為具有反電動(dòng)勢(shì)的阻感負(fù)載。若將電路中的晶閘管替換為二極管，即相當(dāng)于晶閘管觸發(fā)角α=0o的情況。在此狀態(tài)下，共陰極組的三個(gè)晶閘管中，陽(yáng)極所接...
NMOS由n型半導(dǎo)體構(gòu)成的源極和漏極，而基板（襯底）通常是p型半導(dǎo)體。 工作原理...NMOS由n型半導(dǎo)體構(gòu)成的源極和漏極，而基板（襯底）通常是p型半導(dǎo)體。 工作原理： 關(guān)閉狀態(tài)（柵極電壓低于閾值電壓 Vth） 當(dāng)柵極電壓（V_GS)低于閾值電壓（V_th...
電源抑制比(PSRR,Power Supply Rejection Ratio)，它描述了電路抑制任何電源變...電源抑制比(PSRR,Power Supply Rejection Ratio)，它描述了電路抑制任何電源變化傳遞到其輸出信號(hào)的能力，通常以dB為單位進(jìn)行測(cè)量，用來(lái)描述輸出信號(hào)受電源影響。...
源極（S）：在符號(hào)中始終表現(xiàn)為兩條導(dǎo)線的交叉點(diǎn)，負(fù)責(zé)為導(dǎo)電溝道提供載流子（...源極（S）：在符號(hào)中始終表現(xiàn)為兩條導(dǎo)線的交叉點(diǎn)，負(fù)責(zé)為導(dǎo)電溝道提供載流子（電子或空穴），是電流的輸入或輸出端。 漏極（D）：在符號(hào)中為單獨(dú)引線的一側(cè)，作為...
ao3400場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽...ao3400場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開(kāi)關(guān)...
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