源極漏極柵極詳解,mos管源極漏極柵極區分-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-11
柵極（G）、源極（S）、漏極（D）是場效應晶體管（FET，包括MOSFET和JFET）的三個電極。
1.柵極（Gate,G）
功能：控制溝道導通/關斷的控制極，通過柵極電壓（VGS）調節源漏之間的電流。
特性：
絕緣柵結構（MOSFET）：柵極與溝道通過氧化物絕緣，輸入阻抗極高。
電壓控制：僅需電場效應即可控制電流，幾乎無柵極電流。
關鍵參數：
閾值電壓（Vth）：使溝道導通的柵源電壓。
柵極電容（Cgs,Cgd)：影響開關速度。
2.源極（Source,S）
功能：載流子（電子或空穴）的發射端，電流從源極流入溝道（N溝道FET中為電子源，P溝道中為空穴源）。
特性：
通常與襯底（Body）連接以固定電位（增強型MOSFET中常接電位端）。
在對稱結構中，源極和漏極可互換（實際應用需按工藝設計區分）。
3.漏極（Drain,D）
功能：載流子的收集端，電流從溝道流向漏極（N溝道FET中漏極接高電位）。
特性：
承受較高電壓（如功率MOSFET中VDS可達數百伏）。
與源極的區分：在集成電路中，漏極通常連接負載或電源。
源極（Source)
定義：電流的起點或終點，通常接地或連接電源。
特點：在NMOS中，源極通常接地；在PMOS中，源極通常接電源正極。
漏極（Drain)
定義：電流的終點或起點，與源極形成導通路徑。
特點：漏極與源極之間的電壓差（VDS）影響導通狀態，高頻電路中需嚴格區分漏極與源極。
柵極(Gate)
定義：控制導通的電壓輸入端，通過柵源電壓（VGS）調節溝道導電性。
特點：柵極與半導體之間有絕緣層，無電流通過，僅需電壓驅動。
通過電路符號區分
源極（S）：在符號中始終表現為兩條導線的交叉點，負責為導電溝道提供載流子（電子或空穴），是電流的輸入或輸出端。
漏極（D）：在符號中為單獨引線的一側，作為電流的輸出端或輸入端，與源極構成電流通路。
柵極（G）：通常獨立于交叉點，是控制極，用于接收外部信號以調節溝道導通。
使用萬用表測量電阻
1.判定柵極（G）：將萬用表調至R×1k檔，黑表筆任意接一引腳，紅表筆依次測另兩引腳。若兩次電阻值近似相等（高阻態），則黑表筆所接為柵極。
2.區分源極（S）和漏極（D）：
將萬用表調至二極管檔或R×1檔，黑表筆接中間引腳（假設為漏極D），紅表筆測兩側引腳。若僅一側導通（顯示0.3-0.7V），則紅表筆側為源極（S），另一側為柵極（G）。
或直接測量S-D間電阻：黑表筆接源極（S）、紅表筆接漏極（D）時，正向電阻較低（幾歐至十幾歐）；反向電阻較高。交換表筆后電阻值較高的一次，黑表筆所接為源極。
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