假設Q為低電平，則非門2的輸入端為高電平，經過R對C充電，C的電壓上升，直到非...假設Q為低電平，則非門2的輸入端為高電平，經過R對C充電，C的電壓上升，直到非門1輸入端的電壓達到反轉電壓，此時非門1的輸出變為低電平，Q變為高電平。
R-S鎖存器是靜態存儲單元中最基本的一種電路結構，通常由兩個或非門或者與非門...R-S鎖存器是靜態存儲單元中最基本的一種電路結構，通常由兩個或非門或者與非門組成，下圖為與非門搭建R-S鎖存器的電路結構圖。
KNX2408A，采用先進的溝槽技術，提供優異的RDS（ON），低柵極電荷，適用于多種...KNX2408A，采用先進的溝槽技術，提供優異的RDS（ON），低柵極電荷，適用于多種應用。
下圖為反相器的結構示意圖，由一個PMOS和一個NMOS拼接而成 當v=1時，T1截止，...下圖為反相器的結構示意圖，由一個PMOS和一個NMOS拼接而成 當v=1時，T1截止，T2導通，vo=0； 當v=0時，T1導通，T2截止，vo=1；
電壓波紋和開關噪聲通常是由電源線發出的。這種噪聲會影響晶體振蕩器的輸出。此...電壓波紋和開關噪聲通常是由電源線發出的。這種噪聲會影響晶體振蕩器的輸出。此外，有必要確保晶體振蕩器產生的波紋噪聲不會流到電源線上。實施這些措施還可以改善...
在運放構成的反向放大電路中，噪聲主要來源于以下三方面： （1）運放的輸入噪...在運放構成的反向放大電路中，噪聲主要來源于以下三方面： （1）運放的輸入噪聲電壓(datasheet有數據曲線) （2）運放的輸入電流噪聲(datasheet有數據曲線)，需要...
