MOS管的GIDL效應是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區域會發生漏電現...MOS管的GIDL效應是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區域會發生漏電現象的現象。這種現象是由于高電場導致絕緣層中的電子發生穿隧效應，從而形成漏電流。...
結漏泄漏電流為：當晶體管關斷時，通過反偏二極管從源極或漏極到襯底或者阱到襯...結漏泄漏電流為：當晶體管關斷時，通過反偏二極管從源極或漏極到襯底或者阱到襯底；這種反偏結泄露電流主要由兩部分組成： （1）由耗盡區邊緣的擴散和漂移電流產...
純電阻電路是指電流通過導體時，因導體的電阻把電能轉化為熱能的電路。純電阻電...純電阻電路是指電流通過導體時，因導體的電阻把電能轉化為熱能的電路。純電阻電路是除電源外，只有電阻元件的電路，或有電感和電容元件，但它們對電路的影響可忽略...
B值是指熱敏電阻特定溫度下阻值與該溫度下對數阻值的斜率的倒數，通常以K為單位...B值是指熱敏電阻特定溫度下阻值與該溫度下對數阻值的斜率的倒數，通常以K為單位。B值越大，溫度系數越小，溫度變化時電阻值的變化幅度也就越小。熱敏電阻是一種溫...
單結晶體管是一種利用PN結特性的半導體器件，它的工作原理基于PN結的電子輸運和...單結晶體管是一種利用PN結特性的半導體器件，它的工作原理基于PN結的電子輸運和控制。單結晶體管主要由三個區域組成：發射區（Emitter）、基區（Base）和集電區（...
bat54c參數 直流反向耐壓(Vr): 30V 平均整流電流(Io): 200mA 正向壓降(Vf):...bat54c參數 直流反向耐壓(Vr): 30V 平均整流電流(Io): 200mA 正向壓降(Vf): 1V @ 100mA 反向電流(Ir): 2μA @ 25V
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