在CMOS工藝中,通常采用平板電容和MOS電容兩種不同的類型,此外還有與偏置電壓有...在CMOS工藝中,通常采用平板電容和MOS電容兩種不同的類型,此外還有與偏置電壓有關(guān)的PN結(jié)非線性電容和引線寄生電容等。
在電路設(shè)計(jì)零極點(diǎn)計(jì)算中，我們經(jīng)常需要對MOS管的柵電容進(jìn)行理論估算，柵電容Cg...在電路設(shè)計(jì)零極點(diǎn)計(jì)算中，我們經(jīng)常需要對MOS管的柵電容進(jìn)行理論估算，柵電容Cgg=Cox*W*L，W和L我們可以直接從器件參數(shù)得到，接下來我們需要知道MOS管的Cox具體值。...
MOS管電容分別由氧化層電容和半導(dǎo)體電容串聯(lián)組成，Cox為固定電容值，和電容極板...MOS管電容分別由氧化層電容和半導(dǎo)體電容串聯(lián)組成，Cox為固定電容值，和電容極板的厚度以及面積有關(guān)。Cs為可變電容，與MOS管的工作狀態(tài)有關(guān)。
KNP2915A TO-220 150V130A-描述： SGT MOSFET技術(shù) 先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù) 低柵極...KNP2915A TO-220 150V130A-描述： SGT MOSFET技術(shù) 先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù) 低柵極電荷 RDS低（ON）
方法一： dc掃描 AVDD 從-3掃到3V tools-result Brower-dcOpinfo-選定M0的Cg...方法一： dc掃描 AVDD 從-3掃到3V tools-result Brower-dcOpinfo-選定M0的Cgg
當(dāng)MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)時，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區(qū)和可變電阻區(qū)來回...當(dāng)MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)時，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區(qū)和可變電阻區(qū)來回切換的，在切換過程中可能會經(jīng)過飽和區(qū)。
