頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊...頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)：160 V
漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態(tài)電阻（RDS(on)）...漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.06 Ω 耗散功率（PD）：1.25 W 封裝：SOT-23
MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應晶體管（Metal Oxide Se...MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor FET，簡稱MOS-FET，是應用場效應原理工作的半導體器件，屬于電壓控制型...
MOS屬于電壓控制型器件，但是實際上MOS管在從關斷到導通的過程中也是需要電流的...MOS屬于電壓控制型器件，但是實際上MOS管在從關斷到導通的過程中也是需要電流的，因為MOS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs以及Cds。 對于N溝道增強型MOSFET，開啟...
MOS管根據(jù)導電性質(zhì)不同可分為NMOS和PMOS兩種。NMOS和PMOS的結(jié)構相似，都是由n型...MOS管根據(jù)導電性質(zhì)不同可分為NMOS和PMOS兩種。NMOS和PMOS的結(jié)構相似，都是由n型和p型半導體夾雜著一層氧化膜構成的。不同之處在于，NMOS的氧化膜上覆蓋著一層金屬...
雪崩失效：MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系...雪崩失效：MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是MOSFET漏源極的電壓...
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