mmbt5551參數,mmbt5551引腳圖,mmbt5551規格書-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-22
集電極最大耗散功率（PCM）：0.225 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.6 A
集電極與基極最高耐壓（VCBO）：180 V
集電極與發射極最高耐壓（VCEO）：160 V
發射極與基極最高耐壓（VEBO）：6 V
封裝：SOT-23
頻率：300 MHz
額定電壓(DC)：160 V
額定電流：600 mA
耗散功率：350 mW
擊穿電壓(集電極-發射極)：160 V
最小電流放大倍數(hFE)：80 @10mA, 5V
額定功率(Max)：350 mW
直流電流增益(hFE)：80
耗散功率(Max)350 mW
工作溫度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
外形尺寸：
長度2.92 mm
寬度1.3 mm
高度0.93 mm
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
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