（1）由于 VBAT 端要提供負載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導通內阻比 NMO...（1）由于 VBAT 端要提供負載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導通內阻比 NMOS 管要更小。一般來說，導通內阻越小，其 Gate 端的結電容就越大，所以 PMOS 管的開...
基于MOS管的防反接電路，如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接...基于MOS管的防反接電路，如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接電路，MOS管類型的防反接保護電路，具有低功耗和壓降小的優點。
這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的超級結技術生產的。這種先進的技術經過特...這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的超級結技術生產的。這種先進的技術經過特別定制，可以最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承...
輸入低頻紋波 (1) 增加輸出低頻濾波的電感、電容容量及數量輸入低頻紋波 (1) 增加輸出低頻濾波的電感、電容容量及數量
采用電阻實現電流檢測時，要注意電阻的容差（1%或更低）和溫度系數（100ppm/°...采用電阻實現電流檢測時，要注意電阻的容差（1%或更低）和溫度系數（100ppm/°C），因為高精度的電阻可以提高開關電源電流檢測的精度和穩定性，在多相電源時，還可...
KIA15TB60 15A 600V?描述 該系列是最先進的設備，設計用于開關電源、逆變器和...KIA15TB60 15A 600V?描述 該系列是最先進的設備，設計用于開關電源、逆變器和續流二極管。
