通過模型導出的器件Model通常是一個四端口網絡，這是在實際器件中襯底也是需要...通過模型導出的器件Model通常是一個四端口網絡，這是在實際器件中襯底也是需要接參考的。 通常NMOS器件襯底接地（或最低電平），相對應PMOS器件襯底接電源（或最...
1、柵極長度L是載流子必須經源到漏的距離，因此L直接關系到器件的速度，L越小，...1、柵極長度L是載流子必須經源到漏的距離，因此L直接關系到器件的速度，L越小，器件的速度越快，功耗越低。 2、溝道寬度W決定了器件的強度，器件越寬，并行穿過器...
以NMOS為例介紹MOSFET的基本結構，如下圖所示，器件以p型硅為襯底，并擴散形成...以NMOS為例介紹MOSFET的基本結構，如下圖所示，器件以p型硅為襯底，并擴散形成兩個重參雜n+的區域，分別為源端（Source）和漏端（Drawn），應當注意的是，對于單個...
對于元器件而言，特征頻率是指其主要功能下降到不好使用時的一種截止頻率。例如...對于元器件而言，特征頻率是指其主要功能下降到不好使用時的一種截止頻率。例如，對于用作為放大的有源器件——雙極型晶體管以及場效應晶體管而言，特征頻率就是指...
當MOS管工作在變阻區內時，其溝道是“暢通”的，相當于一個導體。在 Vds Vds <...當MOS管工作在變阻區內時，其溝道是“暢通”的，相當于一個導體。在 Vds Vds < Vgs - Vth時近似滿足V-I的線性關系，即有一個近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，...
在設計大電流電源時，MOSFET是最難確定的元件。這一點在筆記本電腦中尤其顯著，...在設計大電流電源時，MOSFET是最難確定的元件。這一點在筆記本電腦中尤其顯著，這樣的環境中，散熱器、風扇、熱管和其它散熱手段通常都留給了CPU。這樣，電源設計...
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