N溝道m(xù)os管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0...N溝道m(xù)os管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0A VDS =20V,RDS(on) =0.090Ω@VGS =2.5V,ID =2.0A
在28nm以下，由于最大器件長度限制，模擬設(shè)計人員經(jīng)常要對多個短長度的MOSFET串...在28nm以下，由于最大器件長度限制，模擬設(shè)計人員經(jīng)常要對多個短長度的MOSFET串聯(lián)來創(chuàng)建長溝道的器件。這些串聯(lián)連接的器件通常被稱為堆疊MOSFET或堆疊器件。
輸入失調(diào)電壓Vos(Voltage - Input Offset)，指的是為使運算放大器輸出端為0V所...輸入失調(diào)電壓Vos(Voltage - Input Offset)，指的是為使運算放大器輸出端為0V所需加于兩輸入端間之補償電壓。理想之運算放大器其Vos應(yīng)該為0V。
功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通（不希望發(fā)生的事件）的機率比我們的預(yù)計更高，造成的損...功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通（不希望發(fā)生的事件）的機率比我們的預(yù)計更高，造成的損失也更大。寄生導(dǎo)通通常會損壞MOSFET，且之后很難查出故障的根源。寄生導(dǎo)通機制取決...
在此，R1和C1對晶體管Q4構(gòu)成一個適度的濾波器。Q5發(fā)射極上的3.3V電壓將對Q4的基...在此，R1和C1對晶體管Q4構(gòu)成一個適度的濾波器。Q5發(fā)射極上的3.3V電壓將對Q4的基極發(fā)射極結(jié)產(chǎn)生反向偏置，并使電流通過R11流向Q4的基極。流經(jīng)Q4的電流驅(qū)動Q3和Q2，...
與MOSFET相關(guān)的三個電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數(shù)的方式測量這些...與MOSFET相關(guān)的三個電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數(shù)的方式測量這些電容并不是一件直截了當(dāng)?shù)墓ぷ鳎诖诉^程中需要它們中的某些被短路或開路（left flo...
