電機驅動mos管選型,85v120a,KCD3008A場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-28
電機驅動mos管選型要求：
最大漏-源電壓（VDSS）：需高于實際工作電壓峰值并預留20%-30%裕量，防止瞬態過壓損壞。
最大漏極電流（ID）：根據電機最大負載電流選定，需覆蓋連續模式和瞬態尖峰電流。選擇低導通電阻的器件以減少損耗。
柵極驅動電壓（VGS）：需高于閾值電壓（VGS（th））并留有余量，確保完全導通。
NMOS管：適用于低壓側開關（如H橋下管），具有成本低、型號多、導通電阻小的優勢。
PMOS管：用于高壓側開關（如H橋上管），但成本高且可選型號較少，通常需配合自舉升壓電路實現高壓驅動。
KCD3008A場效應管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少開關損耗，提高效率；優秀的柵極電荷xRDS（開）產品（FOM），穩定可靠；在電機驅動器和DC/DC轉換器、SR（同步整流）中能夠高效運行；封裝形式：TO-252，散熱良好。
漏源電壓：85V
漏極電流：120A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
雪崩能量單脈沖：560MJ
最大功耗：85W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：65nC
輸入電容：4030PF
輸出電容：545PF
反向傳輸電容：35PF
開通延遲時間：20nS
關斷延遲時間：45nS
上升時間：38ns
下降時間：20ns
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