30V100A MOS管,3203場效應(yīng)管,KND3203B參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-21
KND3203B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；優(yōu)秀的QgxRDS（on）產(chǎn)品性能，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，開關(guān)速度快、內(nèi)阻低，穩(wěn)定可靠；適用于開關(guān)電源、家電控制板、LED射燈、電動(dòng)工具、風(fēng)扇、無刷電機(jī)中；封裝形式：TO-252，體積小、散熱良好，便于安裝和布局。
漏源電壓：30V
漏極電流：100A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：256MJ
總功耗：101W
閾值電壓：1.8V
總柵極電荷：50nC
輸入電容：2340PF
輸出電容：460PF
反向傳輸電容：305PF
開通延遲時(shí)間：11nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：34nS
上升時(shí)間：102ns
下降時(shí)間：95ns
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