電源mos840參數,500v8a場效應管,KIA840SD資料規格書-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-27
KIA840SD場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導通電阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；低電阻、低柵極電荷，在開關過程中能夠快速響應并提供穩定的電流輸出；合理的峰值電流與脈沖寬度曲線，穩定可靠；符合RoHS標準，綠色環保，適用于適配器、電視電源、SMPS電源以及液晶面板電源，封裝形式：TO-252，體積小，散熱良好。
漏源電壓：500V
漏極電流：8A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：400MJ
最大功耗：100W
閾值電壓：3V
輸入電容：960PF
輸出電容：110PF
反向傳輸電容：10PF
開通延遲時間：11nS
關斷延遲時間：46nS
上升時間：17ns
下降時間：22ns
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