開關(guān)電源mos,100v15a場效應管,KND6610A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-24
KND6610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，采用先進的平面溝槽技術(shù)，極低導通電阻RDS(on)=83mΩ，可最大限度地減少導電損失，提供卓越的開關(guān)性能，并能夠承受雪崩和換向模式的高能脈沖，穩(wěn)定可靠；還具有低crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，提高工作效率；適用于PWM應用、電源管理、負載開關(guān)等；封裝形式：TO-252。
漏源電壓：100V
漏極電流：15A
柵源電壓：±20V
閾值電壓：1.7V
脈沖漏電流：60A
單脈沖雪崩能量：3.5MJ
功率耗散：55W
總柵極電荷：19.2nC
輸入電容：1073PF
輸出電容：57PF
反向傳輸電容：31PF
開通延遲時間：12.6nS
關(guān)斷延遲時間：32.5nS
上升時間：6ns
下降時間：4.3ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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