?21n50參數及代換,大功率mos管,KIA20N50HF參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-21
21n50場效應管代換型號KIA20N50HF漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，低導通電阻RDS(on)0.21Ω，低柵極電荷（典型值為70nC），減少導電損耗，最小化開關損耗；具備快速切換能力、指定雪崩能量、改進的dvdt功能，穩定可靠；高效率低損耗，專為高壓、高速功率開關應用設計，如高效開關電源、有源功率因數校正；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：500V
漏極電流：20A
漏源通態電阻：0.21Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：80A
單脈沖雪崩能量：1110MJ
功率耗散：41.5W
總柵極電荷：70nC
輸入電容：2700PF
輸出電容：400PF
開通延遲時間：100nS
關斷延遲時間：100nS
上升時間：400ns
下降時間：100ns
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