光耦隔離mos管驅動電路,光耦隔離驅動-KIA MOS管

光耦隔離mos管驅動電路

MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生電容，這是由制作工藝決定的。MOS管的開通和關斷其實就是對Cgs充放電的過程。開啟時通過柵極R1電阻對Cgs充電，充電時間常數=R1*Cgs。所以R1較大的話，時間常數就大了，這樣如果頻率很高的話，在脈寬的時間內管子很可能無法正常導通，或者輸出波形嚴重畸變。

下圖是一款普通的直接驅動型電路。

光耦隔離,mos管,驅動

開關頻率1KHZ時輸出波形圖，波形還算完美；開關頻率5KHZ時輸出波形圖，波形嚴重失真。

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這個電路的R2是Cgs寄生電容的泄放電阻，其兩個功能，一是防止MOS管由于靜電積累的電荷沒有釋放回路，引起靜電擊穿；二是在MOS關斷時給Cgs寄生電容一個快速放電的回路，提高關斷速度，泄放電阻一般取值為10K，也可根據實際情況做調整，阻值大，MOS關斷速度慢。

這個電路有一個很大的缺點就是，當開關信號在3KHZ以上時MOS明顯跟不上了，輸出波形變形嚴重，原因就是Cgs寄生電容中充的電不能及時放掉，減少R2的值可以緩解這種問題，但是一般情況不能把這個電阻改太小，所以電路還需要進一步改進。

改進后的電路

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這個電路加入了一個三極管Q2來輔助Cgs寄生電容的泄放電荷，可以大大縮短MOS的關斷時間。其原理是當MOS要關斷瞬間，Cgs寄生電容電壓是電源電壓，三極管的e極連接的是Cgs寄生電容的負極，三極管的b極經R10連接Cgs寄生電容的正極為高電平，所以三極管Q2導通，形成放電回路，Cgs寄生電容的電荷經Q2---R4快速放電，同時也經R2進行放電，迅速消耗Cgs寄生電容的電荷，減少MOS的關斷時間，提高MOS的開關頻率。

開關頻率1KHZ時輸出波形圖，波形完美；開關頻率10KHZ時輸出波形圖，波形還算完美。

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