反激開關(guān)電源-高功率密度的USB PD電源實現(xiàn)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-06-07
如何實現(xiàn)高功率密度的USB PD電源
高頻（140K-250K近兩年最佳工作頻率）、軟開關(guān)拓撲、平面變壓器、可調(diào)整的頻率法則、較小的共模EMI噪聲（可以使用較小的共模濾波器，可使用變壓器構(gòu)造抵消EMI）。
拓撲的選擇，如下圖為常用的反激拓撲。
準(zhǔn)諧振反激（QR）在高壓輸入時候仍有較大開關(guān)損耗。而使用零電壓開通更適合。如下圖。
有源鉗位反激。如下圖，但是使用Si器件的話功率密度做不大。在第一個谷底開通，高低壓頻率變化比較大。
全電壓范圍零電壓開通反激。如下圖，增加了一個零電壓開關(guān)的輔助管，產(chǎn)生負電流，將主功率管Coss兩端的電壓抽到零。
LLC半橋，如下圖。效率很高，但不適合寬電壓輸入輸出，不太適合寬壓USB PD的設(shè)計。
不對稱半橋反激，如下圖。與LLC類似但是還是反激的架構(gòu)。通過電感和諧振電容儲能，可以適合寬壓輸入輸出。
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