電路中的FET

FET（場(chǎng)效應(yīng)管）的種類(lèi)繁多，電路原理圖的符號(hào)畫(huà)法也有很多種，好在差別都不大，常用的JFET和增強(qiáng)型VMOS的畫(huà)法如圖1.33所示。

符號(hào)外面是否要帶一個(gè)圓圈，則是習(xí)慣問(wèn)題，通常手繪圖考慮到便利性，這個(gè)圓圈都是不畫(huà)的。在CAD制圖逐漸流行的今大，這個(gè)圓圈出現(xiàn)的兒率也有減少的趨勢(shì)。需要說(shuō)明的是，F(xiàn)ET電路符號(hào)中的箭頭并不表示電流方向，而是表示電場(chǎng)方向。

體二極管是內(nèi)置的保護(hù)二極管，防止漏極—源極被反向電壓擊穿，這在大功率電路中是非常常見(jiàn)的，這與繼電器電路中常常會(huì)在繼電器的線圈兩端畫(huà)上一個(gè)二極管的功能是一樣的。多數(shù)功率MOSFET均已經(jīng)內(nèi)置了體二極管，而小功率的MOSFET體二極管則一般不會(huì)內(nèi)置體二極管，電路圖中一般也不會(huì)有體二極管出現(xiàn)。

我們已經(jīng)知道JFET具有雙向?qū)щ娞匦裕绰O與源極可以互換，這是有條件的，這個(gè)條件就是低電壓、小電流，目前常用的小功率JFET的實(shí)際應(yīng)用也恰恰符合這個(gè)條件。MOSFET其實(shí)也具備這個(gè)特性，但是MOSFET多為功率器件，常用于大電流、高電壓條件，加之內(nèi)置了體二極管，小功率MOSFET也大多內(nèi)置了體二極管，這個(gè)特性就不能用了。大功率的JFET，如HEMT的電路符號(hào)，大多也是有體二極管的。不過(guò)有時(shí)候二極管是外置的，這時(shí)候它的名稱(chēng)也發(fā)生了改變，不叫“體：極管”而是稱(chēng)為“續(xù)流二極管”，內(nèi)置的體二極管也常常會(huì)被稱(chēng)為“續(xù)流二極管”，在功能上，它們的作用也是一樣的。

因?yàn)槁O—源極不能反向偏置，因此大電流雙向電子開(kāi)關(guān)需要兩個(gè)功率MOSFET來(lái)完成，就像圖1.3那樣。

如果你對(duì)BJT已經(jīng)比較熟悉（情況常常如此），將FETLk作BJT可以讓我們很快理解FET的偏置電路，就控制功能來(lái)說(shuō)，也是合適的，圖1.34以JFET為例，畫(huà)出了二者的對(duì)應(yīng)關(guān)系，MOSFET與之相同。

需要注意的是，圖中的對(duì)應(yīng)關(guān)系是近似的，實(shí)際上，JFET與耗盡型MOS-FET的偏置特性和BJT是相反的，即NPN型的BJT，基極與發(fā)射極之間需要正向偏置（基極電壓高于發(fā)射極電壓），N溝道的JFET，柵極與源極之間需要反向偏置（漏極電壓低于源極電壓）。增強(qiáng)型M()SFET的偏置特性與BJT則是相同的。

至于端子的英文符號(hào)是大寫(xiě)還是小寫(xiě)，也僅僅是一個(gè)使用習(xí)慣問(wèn)題。對(duì)于BJT，三個(gè)端子的符號(hào)，大、小寫(xiě)出現(xiàn)的概率大致相同；對(duì)于FET，大寫(xiě)則是主流。

在實(shí)踐上，我們會(huì)接觸到各種來(lái)源的電路圖，因此有必要了解FET的其他畫(huà)法（圖1. 35）。

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