500v功放管mos

什么是功放管

KIA半導(dǎo)體供應(yīng)500v功放管mos，先來(lái)看看功放管的分類(lèi)：A類(lèi)功放（又稱(chēng)甲類(lèi)功放） A類(lèi)功放輸出級(jí)中兩個(gè)（或兩組）晶體管永遠(yuǎn)處于導(dǎo)電狀態(tài)，也就是說(shuō)不管有無(wú)訊號(hào)輸入它們都保持傳導(dǎo)電流，并使這兩個(gè)電流等于交流電的峰值，這時(shí)交流在最大訊號(hào)情況下流入負(fù)載。當(dāng)無(wú)訊號(hào)時(shí)，兩個(gè)晶體管各流通等量的電流，因此在輸出中心點(diǎn)上沒(méi)有不平衡的電流或電壓，故無(wú)電流輸入揚(yáng)聲器。當(dāng)訊號(hào)趨向正極，線路上方的輸出晶體管容。

功放管參數(shù)

晶體管類(lèi)型 PNP - Darlington

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 100V

電流 - 集電極 (Ic)（最大） 10A

功率 - 最大 125W

在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE) 1000 @ 5A, 4V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大） 2V @ 10mA, 5A

電流 - 集電極截止（最大） 2mA

500v功放管mos選型

下面是500v功放管mos的參數(shù)選型表：

500v功放管mos-KIA半導(dǎo)體原廠介紹

500v功放管mos原廠供應(yīng)商介紹，KIA半導(dǎo)體主營(yíng)半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富，是一家國(guó)產(chǎn)MOS管廠家。專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管、碳化硅二極管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

覆蓋領(lǐng)域：工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機(jī)、充電樁、這類(lèi)新興能源，也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品及新型領(lǐng)域。

從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉(cāng)儲(chǔ)物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

mos管的功放優(yōu)缺點(diǎn)
（一）優(yōu)點(diǎn)

1、MOS 管功放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL 的輸入，到達(dá)抑止零點(diǎn)漂移的效果。

2、中音厚，沒(méi)有三極管那么大的交越失真。

電流推進(jìn)級(jí)通常由一至二級(jí)組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù)，常采用二級(jí)電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級(jí)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級(jí)的靜態(tài)電流，這樣本級(jí)不會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，由于任何狀況下電流推進(jìn)級(jí)一直處于放大區(qū)，所以電流輸出級(jí)也一直處于放大區(qū)，因而輸出級(jí)同樣不會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真和交越失真。

3、MOS管的線性比晶體管好。

（二）缺點(diǎn)

1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞,MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運(yùn)用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高（無(wú)法外電路維護(hù)），開(kāi)關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破，呈現(xiàn)了一種高速M(fèi)OSFET大功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

西班牙藝格公司（ECLER）經(jīng)多年研討，攻克了非毀壞性維護(hù)系統(tǒng)的SPM專(zhuān)利技術(shù)，推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點(diǎn)分離的第3代功放產(chǎn)品，在歐洲市場(chǎng)上取得了認(rèn)可，并逐漸在世界上得到了應(yīng)用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放，但低頻的溫和度比晶體管功放差一些，此外MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞。

2、開(kāi)啟電壓太高。

3、偏流開(kāi)很大，還是有一定的交越失真,沒(méi)交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類(lèi)輸出功耗。

4、MOS管不好配對(duì)在同一批次管，相對(duì)來(lái)說(shuō)要好配對(duì)一點(diǎn)。

5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽(tīng)出所謂電子管音色有一個(gè)簡(jiǎn)單方法，把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。

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