在MOS管關(guān)斷時，蜂鳴器里面的電流不能突然降為0，在突然關(guān)閉時會產(chǎn)生反相的電壓...在MOS管關(guān)斷時，蜂鳴器里面的電流不能突然降為0，在突然關(guān)閉時會產(chǎn)生反相的電壓，這時電流就需要有一個泄放路徑，二極管就充當這個泄放路徑，消耗能量。使用上、下...
KNS5610A場效應(yīng)管漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，采用高單元密度的先進溝槽技術(shù)...KNS5610A場效應(yīng)管漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，采用高單元密度的先進溝槽技術(shù)，具有優(yōu)異的導通特性，RDS（ON）=98mΩ，低柵極電荷，減小開關(guān)損耗；出色的Cdv/dt...
6P3P單端電子管功放電路，使用6N1進行電壓放大推動末級6P3P。為得到較大的輸出...6P3P單端電子管功放電路，使用6N1進行電壓放大推動末級6P3P。為得到較大的輸出功率，使用了標準的五極管接法。RP為音量電位器，因為去掉了并聯(lián)6N1柵極上的柵漏電阻...
BG2與BG3組成多諧振蕩器推動整個電路的運行，然后通過BG1和BG4來控制BG6和BG7工...BG2與BG3組成多諧振蕩器推動整個電路的運行，然后通過BG1和BG4來控制BG6和BG7工作。振蕩電路由BG5和DW組的穩(wěn)壓電源供電，使得多諧振蕩器輸出的頻率穩(wěn)定。在制作時...
KND3403B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)，...KND3403B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)，經(jīng)過改進的工藝和單元結(jié)構(gòu)特別定制，性能出色；低導通電阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度...
